[轉貼]IBM TLC 型 PCM:1000萬次寫入壽命
Posted in Daily, Storage on May 18th, 2016 by Banbanli感覺上Flash取代HDD的時代又邁進了一大步。
IBM 最近在 PCM 儲存晶片上有重大的突破,首次實現 PCM 晶片每單元存儲3bit數據,
可以把它理解成 NAND 快閃記憶體從 1bit/cell 的 SLC 到3 bit/cell 的 TLC 的改變。
IBM 這次研發突破是有關PCM儲存晶片,不過甚麼是 PCM?問問Wiki大神,
PCM(Phase-change memory),相變化記憶體,是一種非易失性存儲器裝置。
使用含一種或多種硫族化物的玻璃(Chalcogenide glass)製成。
硫族化物玻璃的特性是,經加熱可以改變它的狀態,成為晶體(Crystalline)或非晶體(Amorphous)。
這些不同狀態具有相應的電阻值。因此可以用來儲存不同的數值。它是可能取代快閃記憶體的技術之一。
也就是說PCM晶片是通過材料熱變化來儲存資料的,相比傳統記憶體晶片,PCM具備多個優點,
比如寫入次數可達1000萬次,遠高於NAND(TLC寫入壽命不足1000,MLC多為3000-5000,SLC多為5000-10萬),
速度更快,是NAND的50倍之多。
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